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文章詳情
西門康IGBT的研發(fā)進展（三）
日期：2025-12-06 19:03
瀏覽次數(shù)：822
摘要：
1、IGBT/FRD
在西門康IGBT基礎上推出兩款結合FRD（快速恢復二極管）的新型器件，IGBT/FRD有效結合，將轉換狀態(tài)的損耗減少20%，采用TO—247外型封裝，額定規(guī)格為1200V、25、50、75、100A，用于電機驅動和功率轉換，以IGBT及FRD為基礎的新技術便于器件并聯(lián)，在多芯片模塊中實現(xiàn)更均勻的溫度，進步整體可靠性。
2、IGBT功率模塊
西門康IGBT功率模塊采用IC驅動，各種驅動保護電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術，從復合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調速外，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導彈發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術組裝PEBB，大大降低電路接線電感，進步系統(tǒng)效率，現(xiàn)已開發(fā)成功**代IPEM，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為西門康IGBT發(fā)展熱門。
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